更新時(shí)間：2024-02-28
上儀三廠鉑熱電阻，WZPK-135U, 熱電阻的工作原理：在溫度的作用下，電阻絲的電阻隨之變化而變化。
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| 上儀三廠鉑熱電阻，WZPK-135U,的詳細(xì)資料： |
測(cè)溫范圍、允差
名稱(chēng) | 型號(hào) | 分度號(hào) | 測(cè)溫范圍 | 等級(jí) | 允許偏差 |
鉑電阻 | WZP | Pt100 Pt10 | -200~±650℃ | A | ±（0.15+0.02t） |
B | ±0.30+0.005t | ||||
銅電阻 | WZC | Cu50 Cu100 | -50~+150℃ |
| ±（0.30+0.006t） |
2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%，所需要的時(shí)間稱(chēng)為熱響應(yīng)時(shí)間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過(guò)電流1mA，zui大測(cè)量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)（α）與標(biāo)稱(chēng)值的偏差
名稱(chēng) | 等級(jí) | α | α |
鉑電阻 | A | 0．003851 | ±0.000006 |
B | ±0.000012 | ||
銅電阻 |
| 0．004280 | ±0.000020 |
5.絕緣電阻
當(dāng)周?chē)諝鉁囟?/span>15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
一、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用*的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成，*自動(dòng)的生產(chǎn)程序保證了產(chǎn)品*符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
型號(hào) | 規(guī)格 長(zhǎng)×寬×高 | 阻值 | 測(cè)量電流 | 精度 | 測(cè)量范圍 | 熱響應(yīng)時(shí)間 |
CRZ-1632 | 3.2×1.6×1.0 | PT100 PT100 | ≤1mA | A | -50～550℃ | ≤0.3S |
CRZ-2005 | 5.0×2.0×1.1 | PT50 | ≤2mA | A | -50～400℃ | |
CRZ-2005 | 5.0×2.0×1.0 | PT10 | ≤0.5mA | B | -50～500℃ |
6． 精度：
等級(jí) | α | 0℃時(shí)的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
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